静电放电以及静电吸收测试

    在半导体产业中，大多数人对静电放电(ESD) 这个名词并不陌生。“ESD损伤”、“静电保护”、“ESD击穿”等都经常提及到，大多数人知道的就是静电是一种破坏性模式。而静电放电破坏的产生，多是由于人为因素所形成，但又很难避免。电子组件或系统在制造、生产、组装、测试、存放、搬运等的过程中，静电会累积在人体、仪器、储放设备等之中，甚至在电子组件本身也会累积静电，而人们在不知情的情况下，使这些物体相互接触，因而形了一放电路径，使得电子组件或系统遭到静电放电的肆虐。所以，常见的静电放电模式有“人体放电模式(HBM)、“机器放电模式(MM)”、“充电器件放电模式(CDM)”三模式，下面我们对三种模式原理做简单介绍。

半导体静电主要是以上三种模式，三种模式主要之间有何差异呢?我们作如下比较：

    随着半导体产品的几何尺寸越来越小，对工艺制程要求越来越高，对静电的敏感性要求越发严格，ECMG按照E78标准要求对半导体设备进行测试评估减少设备静电，从而提高产品合格率，协助厂商完成SEMI E78认证。